Après avoir nous l’avoir officiellement annoncé il y a quelques semaines, et en nous laissant des doute quant à ses caractéristiques, Qualcomm a publié officiellement, par le biais d’un événement se déroulant lors du CES 2017, les fonctionnalités complètes du Qualcomm Snapdragon 835.
Pour récapituler ce que nous savions déjà, le SoC est fabriqué en utilisant le procédé de production FinFET 10 nm dans les fonderies Samsung, utilise un noyau d’architecture octa Kryo 280, consomme 40% de moins par rapport à son prédécesseur tout en augmentant la puissance de calcul de 27%.
A propos de son prédécesseur, le tableau ci-dessous montre la comparaison des spécifications complètes des deux SoC.
catégorie | Snapdragon 835 | Snapdragon 821 |
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production | 10nm FinFET (LPE) | 14nm FinFET (LPP) |
CPU | Kryo 280 2.45GHz quatre cœurs Kryo 280 1.9GHz quatre cœurs |
Kryo 2.35GHz deux cœurs Kryo 1.6GHz deux cœurs |
GPU | Adreno 540 (OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 12) |
Adreno 530 (OpenGL ES 3.1, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 11.2) |
Mémoire | Dual-channel LPDDR4X 1866MHz 29.8 GB/s |
Dual-channel LPDDR4 1866MHz 29.8 GB/s |
Stockage | eMMC 5.1 UFS 2.1 |
eMMC 5.1 UFS 2.0 |
Caméra | Double capteur photo de 32MP Double caméra de 16MP |
Double capteur photo de 28MP |
Modem | X16 gigabit LTE Téléchargement a 1000 Mbit/s Upload a 150 Mbit/sec |
X12 LTE Téléchargement a 600 Mbit/s Upload a 150 Mbit/sec |
Bluetooth | Bluetooth 5.0 | Bluetooth 4.2 |
Wi-Fi | Wi-Fi 802.11ad multi-gigabit | Wi-Fi 802.11ac gigabit |
Charge | Quick Charge 4.0 | Quick Charge rapide |
Bref, les améliorations sont là et elles sont nombreuses. Particulièrement intéressant, la compatibilité avec la nouvelle norme Bluetooth 5.0 et le WiFi 802.11ad.