Voici les spécifications complètes du Qualcomm Snapdragon 835

Après avoir nous l’avoir officiellement annoncé il y a quelques semaines, et en nous laissant des doute quant à ses caractéristiques, Qualcomm a publié officiellement, par le biais d’un événement se déroulant lors du CES 2017, les fonctionnalités complètes du Qualcomm Snapdragon 835.

Pour récapituler ce que nous savions déjà, le SoC est fabriqué en utilisant le procédé de production FinFET 10 nm dans les fonderies Samsung, utilise un noyau d’architecture octa Kryo 280, consomme 40% de moins par rapport à son prédécesseur tout en augmentant la puissance de calcul de 27%.

A propos de son prédécesseur, le tableau ci-dessous montre la comparaison des spécifications complètes des deux SoC.

catégorie Snapdragon 835 Snapdragon 821
production 10nm FinFET (LPE) 14nm FinFET (LPP)
CPU Kryo 280 2.45GHz quatre cœurs
Kryo 280 1.9GHz quatre cœurs
Kryo 2.35GHz deux cœurs
Kryo 1.6GHz deux cœurs
GPU Adreno 540
(OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 12)
Adreno 530
(OpenGL ES 3.1, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 11.2)
Mémoire Dual-channel LPDDR4X
1866MHz
29.8 GB/s
Dual-channel LPDDR4
1866MHz
29.8 GB/s
Stockage eMMC 5.1
UFS 2.1
eMMC 5.1
UFS 2.0
Caméra Double capteur photo de 32MP
Double caméra de 16MP
Double capteur photo de 28MP
Modem X16 gigabit LTE
Téléchargement a 1000 Mbit/s
Upload a 150 Mbit/sec
X12 LTE
Téléchargement a 600 Mbit/s
Upload a 150 Mbit/sec
Bluetooth Bluetooth 5.0 Bluetooth 4.2
Wi-Fi Wi-Fi 802.11ad multi-gigabit Wi-Fi 802.11ac gigabit
Charge Quick Charge 4.0 Quick Charge rapide

Bref, les améliorations sont là et elles sont nombreuses. Particulièrement intéressant, la compatibilité avec la nouvelle norme Bluetooth 5.0 et le WiFi 802.11ad.

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