Aujourd’hui, Qualcomm a annoncé sa nouvelle technologie de charge rapide le « Quick Charge 4 », remplaçant de la version 3 présente notamment sur le téléphone Samsung Galaxy S7.
D’après Qualcomm cette nouvelle version sera plus sûr et plus rapide que son prédécesseur et sera disponible dans les futurs SoC Snapdragon 835 prévu pour l’année 2017.
En comparaison à la version 3, celle-ci serait 20 % plus rapide tout en étant 30 % plus efficace dans la gestion de la température et de l’intensité du courant électrique, le tout permettant de chauffer 5°C de moins la batterie lors de la recharge. Une quinzaine de minutes suffirait alors à remplir de moitié une batterie de 2750 mAh.
Cela serait possible avec un tout nouvel algorithme de gestion de la puissance. Ce nouvel algorithme tiendrait compte de la température de la batterie, pour adapter la puissance en temps réel.
Une technologie Dual Charge qui intègre deux puces d’alimentation dans le téléphone, afin de diviser par deux la tension délivrée à la batterie, sans diminuer la puissance. De quoi éviter de trop chauffer l’accumulateur.
Une bonne nouvelle pour ceux qui oublie trop souvent de recharger leur smartphone.
