Lors d’une conférence de presse qui a eu lieu à New York, Qualcomm a officiellement dévoilé le nouveau haut de gamme, le SoC Qualcomm Snapdragon 835. C’est le premier SoC à être fabriqué avec le procédé de fabrication à 10 nm FinFET. La production a été confiée à Samsung, la seule entreprise qui est toujours en mesure d’offrir une gamme de produits à 10 nm stable.
En ce qui concerne la puissance, le Qualcomm Snapdragon 835 a ainsi 30% des transistors en plus que le Snapdragon 821 (faites à 14 nm). En termes pratiques, il a une puissance de calcul plus élevée de 27% et à une meilleure efficacité énergétique de 40%.
Avec ce nouveau SoC, a également débuté la technologie Qualcomm Quick Charge 4.0 dont nous avons discuté dans le passé. Dans la pratique, cela permet une recharge de 50% en seulement 15 minutes (20% plus rapide que le courant de Quick Charge 3.0). Tout cela est possible grâce à la technologie INOV, qui vous permet d’ajuster intelligemment la tension et le flux d’énergie dans les batteries. En outre, Qualcomm Quick Charge 4.0 est entièrement compatible avec le connecteur USB de type C et suit également les lignes directrices de Google pour Android Nougat.
Le premier smartphone à équiper du Qualcomm Snapdragon 835 viendra dans la première moitié 2017. Un des premiers sera probablement le Samsung Galaxy S8.
